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KOAN 压控振荡器对晶体谐振器的要求

晶振的动态电容与频率的牵引成正比，负载电容大小及其变化大小与频率牵引成反比，选用基频并增大动态电容可加大牵引，但谐振器的动态电感减小，Q值下降，频率稳定度必然下降。为保证振荡器能顺利起振，并具有较好的稳定度，电感 L1 不能用得过大。

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KOAN 压控晶振系列编号封装尺寸解读（CMOS 输出）

? KV08/14：KV-KOAN*VCXO，DIP8/DIP14 直插（4p）CMOS 输出，5V（4-50Mhz）

? KV32/50：KV-KOAN*VCXO，SMD3225/5032（4p/6p）CMOS 输出，1.8V-3.3V（4-50Mhz/16-50Mhz@1.8V）

? KV32T：KV-KOAN*VCXO，32-SMD3225（6p）T-高频（低抖动）CMOS输出，2.5V/3.3V（50-250Mhz）

? KV50T：KV-KOAN*VCXO，50-SMD5032（6p）T-高频（低抖动）CMOS输出，2.5V/3.3V（50-250Mhz）

? KV508T：KV-VCXO，50-SMD5032（8p）（超低抖动）T-CMOS1.8V/2.5V/3.3V（15-250Mhz）

? KV70：KV-KOAN*VCXO，70-SMD7050（6p）CMOS 输出，3.3V（4-50Mhz）

? KV70T：KV-KOAN*VCXO，70-SMD7050（6p）T-高频（低抖动）CMOS输出，2.5V/3.3V（50-250Mhz）

? KV708T：KV-VCXO，70-SMD7050（8p）（超低抖动，T-CMOS1.8V/2.5V/3.3V（15-250Mhz）

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KOAN 压控振荡器抖动和相噪概述

抖动是信号偏离理想位置的程度，表示的是时域特征。单位一般用 pS，fS表示。抖动分为确定性和随机性抖动。确定性抖动是可识别的干扰信号造成的，这种抖动的幅度有限。相位噪声通常定义为一个振荡器在某一偏移频率 fm 处1Hz 宽带内的单边信号功率和信号的总功率比值，单位是 dBc/Hz.

KOAN 压控振荡器的振荡条件

相位条件：ωL=1/ωcl（ω 晶体频率， L 晶体有效电感，CL 晶体负载电容），调整负载电容可以调整频率高低，实现频率精准度高；振幅条件：│Rˉ│≥R（设计电路要考虑负性阻抗值 Rˉ的相对值，在起动时要比晶体谐振电阻有效值 R 大3-20 倍，正常振荡时│Rˉ│=R）。